Lộ điểm Benchmark của Galaxy S8 Plus trên chip Exynos 8895

Mới đây, điểm hiệu năng đơn lõi và đa lõi của Galaxy S8 Plus đã bị hé lộ trên trang kiểm tra hiệu suất Benchmark.

Do Samsung Galaxy S8 Plus có tới 2 tùy chọn bộ xử lý: Qualcomm Snapdragon 835 (tại thị trường Mỹ) và Exynos 8895 (bản Quốc tế) nên điểm hiệu suất tổng thể của 2 phiên bản này sẽ có sự khác nhau.

Điểm số lõi đơn và đa lõi trên chip Exynos 8895 và Snapdragon 835 trên Galaxy S8 Plus.

Theo nguồn tin từ Geekbench, chip xử lý của Samsung có điểm lõi đơn và đa lõi khá cao – 1978 và 6375. Trong khi đó, chip Qualcomm trên S8 Plus có điểm chuẩn thấp hơn – 1929 và 6084 điểm. Có thể thấy, Exynos luôn mạnh mẽ hơn “người anh em” Qualcomm dù cùng được sử dụng trên một thiết bị. Khi xem xét cụ thể, chip Snapdragon 835 có tốc độ xung nhịp nhanh hơn Exynos 8895.

Điểm số lõi đơn và đa lõi trên chip Exynos 8895 trên Galaxy S8 Plus và Exynos 8890 trên Galaxy S7 Edge.

 Cũng theo nguồn tin này, điểm hiệu năng giữa chip Exynos 8895 của Galaxy S8 Plus và phiên bản “tiền nhiệm” Exynos 8890 trên Galaxy S7 Edge cũng được đem ra so sánh. Theo đó, điểm số đa lõi và đơn lõi của S8 Plus cao vượt trội (S7 Edge có điểm đơn lõi và đa lõi lần lượt là 1885 và 5241 điểm).

So sánh cho thấy, sự chênh lệch giữa 2 thế hệ chip Exynos trong điểm số đơn lõi là khá nhỏ. Trên thực tế, điểm số đơn lõi quan trọng hơn nhiều vì đa số các ứng dụng Android không chạy đa luồng hoặc trên các lõi có tốc độ thấp.