Samsung ra mắt mô-đun RAM siêu khủng 512GB

Samsung đã tiết lộ một mô-đun RAM mới cho thấy tiềm năng của bộ nhớ DDR5 không chỉ về tốc độ mà còn dung lượng.

Samsung cho biết mô-đun 512GB DDR5 là mô-đun đầu tiên sử dụng công nghệ High-K Metal Gate (HKMG) mang lại tốc độ 7.200 Mbps cao hơn gấp đôi so với DDR4. Hiện tại, nó nhắm đến các chức năng siêu máy tính, AI và máy học ngốn dữ liệu, tuy nhiên DDR5 cuối cùng sẽ đến với máy tính thông thường nhằm thúc đẩy chơi game và các ứng dụng khác.

Được biết, Samsung lần đầu tiên sử dụng công nghệ HKMG vào năm 2018 với chip GDDR6 sử dụng trong GPU. Được phát triển bởi Intel, nó sử dụng hafnium thay vì silicon, với kim loại thay thế các điện cực cổng polysilicon bình thường. Tất cả những điều đó cho phép cung cấp mật độ chip cao hơn, đồng thời giảm rò rỉ dòng điện.

Mỗi chip sử dụng 8 lớp chip DRAM 16Gb cho dung lượng 128Gb, hoặc 16GB. Như vậy, Samsung sẽ cần 32 trong số đó để tạo ra một mô-đun RAM 512GB như giới thiệu. Ngoài tốc độ và dung lượng cao hơn, Samsung cho biết mô-đun DRAM này sử dụng ít năng lượng hơn 13% so với các mô-đun không phải dựa trên công nghệ HKMG, vốn là lựa chọn lý tưởng cho các trung tâm dữ liệu.

Với tốc độ 7.200 Mbps, mô-đun DRAM mới nhất của Samsung sẽ cung cấp tốc độ truyền khoảng 57,6 GB/s trên một kênh duy nhất. Trong thông cáo báo chí của Samsung, Intel lưu ý rằng bộ nhớ mới này sẽ tương thích với CPU Xeon Scalable thế hệ tiếp theo của hãng, có tên mã Sapphire Rapids. Kiến trúc đó sẽ sử dụng bộ điều khiển bộ nhớ DDR5 8 kênh, vì vậy chúng ta có thể thấy các cấu hình bộ nhớ đa terabyte với tốc độ truyền bộ nhớ cao tới 460 GB/s. Trong khi đó, những chiếc PC tiêu dùng đầu tiên sử dụng RAM DDR5 có thể ra mắt vào năm 2022 khi AMD công bố nền tảng Zen 4 vốn được đồn đại hỗ trợ DDR5.

Nguồn: [Link nguồn]Nguồn: [Link nguồn]